封裝是連接芯片和外部電路的橋梁，封裝技術(shù)對(duì)芯片性能的影響主要體現(xiàn)在幾個(gè)方面：
提升系統(tǒng)性能：隨著摩爾定律迭代速度放緩，先進(jìn)封裝技術(shù)成為提升系統(tǒng)性能的另一發(fā)展主軸。通過集成化封裝，可以在不縮小制程節(jié)點(diǎn)的背景下，僅通過改進(jìn)封裝方式就能提升芯片性能。
提高信號(hào)傳輸效率和穩(wěn)定性：封裝技術(shù)能夠保護(hù)芯片免受環(huán)境因素的影響，同時(shí)提高信號(hào)傳輸效率和穩(wěn)定性，這對(duì)于芯片性能的穩(wěn)定發(fā)揮至關(guān)重要。
增強(qiáng)芯片性能：封裝技術(shù)通過提高集成度來(lái)滿足現(xiàn)代電子設(shè)備功能日益復(fù)雜的需求。一方面，增加單個(gè)芯片的功能密度；另一方面，通過系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）等技術(shù)將多個(gè)不同功能的芯片集成在一起，形成一個(gè)完整的系統(tǒng)，從而增強(qiáng)芯片性能。
降低信號(hào)傳輸延遲：高性能封裝工藝發(fā)展包括提高芯片的電氣性能，例如降低信號(hào)傳輸延遲、提高信號(hào)完整性等。通過采用先進(jìn)的封裝技術(shù)，如倒裝芯片（Flip - Chip）技術(shù)和球柵陣列封裝（BGA）技術(shù)，可以實(shí)現(xiàn)更短的電氣連接路徑，從而減少信號(hào)傳輸過程中的延遲和損耗。
改善散熱性能：隨著芯片的集成度和性能的提高，芯片產(chǎn)生的熱量也越來(lái)越多。新型的封裝技術(shù)注重改善散熱性能，例如采用散熱性能更好的封裝材料、優(yōu)化封裝結(jié)構(gòu)以增加散熱路徑等，這對(duì)于維持芯片性能和可靠性至關(guān)重要。
三維封裝（3D封裝）：三維封裝技術(shù)通過堆疊不同的芯片層，可以在有限的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的集成度和性能，這對(duì)于提升芯片性能和實(shí)現(xiàn)更復(fù)雜的功能具有重要意義。
保護(hù)芯片免受損害：封裝材料可以保護(hù)芯片免受微粒、濕氣和機(jī)械力等外界因素對(duì)它的損害，同時(shí)也增強(qiáng)了散熱。
隨著技術(shù)的發(fā)展，多樣性的應(yīng)用需求創(chuàng)造了一系列的封裝媒介和封裝工藝。
以下是一些常見的功率芯片封裝類型：
TO封裝：包括TO-220和TO-247等，這些是分立式封裝，廣泛應(yīng)用于小功率范圍，需要焊接到印刷電路板上。由于功率損耗相對(duì)較低，散熱要求不高，這種封裝設(shè)計(jì)通常不采用內(nèi)部絕緣，每個(gè)封裝中只有一個(gè)開關(guān)。
模塊層疊結(jié)構(gòu)：包括TO-247單管封裝及模塊封裝，外殼、芯片、端子和鍵合線是其主要組成部分。
翻轉(zhuǎn)貼片封裝：阿肯色大學(xué)團(tuán)隊(duì)借鑒BGA的封裝技術(shù)，提出了一種單管的翻轉(zhuǎn)貼片封裝技術(shù)，可以有效減小雜散電感值，將其大小控制在5nH以下。
DBC+PCB混合封裝：這種封裝方式結(jié)合了兩種成熟工藝的優(yōu)勢(shì)，易于制作，可實(shí)現(xiàn)低雜散電感以及更小的體積。
SKiN封裝：由Semikron公司利用SKiN封裝技術(shù)制作的1200V/400A的SiC模塊，采用柔性PCB板取代鍵合線實(shí)現(xiàn)芯片的上下表面電氣連接，模塊內(nèi)部回路寄生電感僅有1.5nH。
DLB、Cu-Clip、SiPLIT封裝：這些封裝技術(shù)通過平面互連的方式實(shí)現(xiàn)芯片正面的連接，減小電流回路，進(jìn)而減小雜散電感、電阻，還擁有更出色的溫度循環(huán)特性以及可靠性。
在不同領(lǐng)域，不同產(chǎn)品又各有特點(diǎn)，舉例幾個(gè)在功率芯片中最常用的封裝規(guī)格：
TO-220/220F：這是一種分立式封裝，廣泛應(yīng)用于小功率范圍。TO-220F是全塑封裝，裝到散熱器上時(shí)不必加絕緣墊；而TO-220帶金屬片與中間腳相連，裝散熱器時(shí)要加絕緣墊。
TO-251：這種封裝產(chǎn)品主要是為了降低成本和縮小產(chǎn)品體積，主要應(yīng)用于中壓大電流60A以下、高壓7A以下的環(huán)境中。
TO-92：這種封裝只有低壓MOS管（電流10A以下、耐壓值60V以下）和高壓1N60/65在使用，目的是降低成本。
TO-252(D-PAK)：這是一種塑封貼片封裝，常用于功率晶體管、穩(wěn)壓芯片的封裝，是目前主流封裝之一。采用該封裝方式的MOSFET有3個(gè)電極，柵極(G)、漏極(D)、源極(S)。其中漏極(D)的引腳被剪斷不用，而是使用背面的散熱板作漏極(D)，直接焊接在PCB上，一方面用于輸出大電流，一方面通過PCB散熱。
TO-263(D2PAK)：這是TO-220的一個(gè)變種，主要是為了提高生產(chǎn)效率和散熱而設(shè)計(jì)，支持極高的電流和電壓，在150A以下、30V以上的中壓大電流MOS管中較為多見。
