隨著全球節能減排需求的提升，LED照明憑借其高效節能的優勢，已成為主流照明方式。然而，傳統硅基MOSFET在200W及以上大功率LED電源驅動應用中，面臨效率低、體積大、散熱難等挑戰，掣肘了產品性能與設計創新。氮化鎵(GaN)技術的崛起，正以顛覆性優勢為高功率LED驅動注入全新動能。
氮化鎵技術：突破瓶頸,引領未來
1、更高效率
GaN器件開關速度更快，損耗更低，可將電源效率提升至95%以上，顯著降低能耗。
2、更小體積
GaN器件的高頻特性允許使用更小的無源元件，大幅縮小電源體積便于燈具設計。
3、更優散熱
GaN器件損耗低，發熱量小，簡化散熱設計，提升系統可靠性。
3、更低成本
GaN器件開關速度更快，損耗更低，可將電源效率提升至95%以上，顯著降低能耗。
200W LED電源驅動氮化鎵方案的優勢
拓撲:PFC+LLC
輸入:176-264Vac
輸出:LED燈帶45V/4.5A
開關頻率:PFC:110kHz;LLC:200kHZ
峰值效率：95.6%
PCBA尺寸:165(L)X40(W)X15(H)mm
功率密度:2.0W/cm3(PCBA)
拓撲結構
效率曲線
溫升測試
EMI Test Data
基于華燊泰GaN技術的200W LED電源驅動方案，具備以下顯著優勢
1、高效率、低能耗:效率高達95.6%，降低系統成本
2、小體積、高功率密度:體積縮小30%-50%,便于燈具設計，提升產品競爭力
3、高可靠性、長壽命:優異的散熱性能和高可靠性，延長電源使用壽命，降低維護成本
LED電源驅動氮化鎵方案可廣泛應用于:
1、工業照明:廠房、倉庫等需要高亮度、高效節能的場所;
2、商業照明:商場、超市、辦公樓等需要高品質照明的場所;
3、戶外照明:路燈、隧道燈、景觀燈等需要高可靠性、長壽命的場所。
LED電源驅動氮化鎵方案憑借其高效、節能、小體積等優勢，正成為大功率LED照明的主流選擇。隨著氮化鎵技術的不斷成熟和成本下降，其應用將更加廣泛，推動LED照明行業邁向高效節能的新時代。
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